HBM产品成为DRAM产业关注焦点，连带让hybrid bonding (混合键合)等先进封装技术发展受瞩目。根据TrendForce最新研究，三大HBM原厂正在考虑是否于HBM4 16hi采用hybrid bonding，并已确定将在HBM5 20hi世代中使用这项技术。

和已广泛使用的micro bump (微凸块)堆叠技术相比，hybrid bonding由于不配置凸块，可容纳较多推叠层数，也能容纳较厚的晶粒厚度，以改善翘曲问题。使用hybrid bonding的晶片传输速度较快，散热效果也较好。

TrendForce表示，三大原厂已确定将在HBM3e 12hi及HBM4 12hi世代延续使用Advanced MR-MUF及TC-NCF堆叠架构。在HBM4 16hi及HBM4e 16hi世代，因hybrid bonding未较micro bump具明显优势，尚无法断定哪一种技术能受青睐。若原厂决定采用hybrid bonding，主因应是为及早经历新堆叠技术的学习曲线，确保后续HBM4e和HBM5顺利量产。三大业者考量堆叠高度限制、IO密度、散热等要求，已确定于HBM5 20hi世代使用hybrid bonding。

然而，采用hybrid bonding须面对多项挑战。如原厂投资新设备导入新的堆叠技术，将排挤对micro bump的需求，亦不再享有原本累积的技术优势。hybrid bonding尚有微粒控制等技术问题待克服，将垫高单位投资金额。此外，由于hybrid bonding须以wafer to wafer模式堆叠，若front end生产良率过低，整体生产良率将不具经济效益。

TrendForce指出，采用hybrid bonding可能导致HBM的商业模式出现变化。使用wafer to wafer模式堆叠，须确保HBM base die与memory die的晶粒尺寸完全一致；而前者的设计是由GPU/ASIC业者主导，因此，同时提供base die及GPU/ASIC foundry服务的TSMC可能将担负base die与memory die堆叠重任。若循此模式发展，预料将冲击HBM业者在base die设计、base die与memory die堆叠，以及整体HBM接单等商业环节的产业地位。